Basisschema
Pull-up en Pull Down
Benoeming knopen
SPICE code
Klasse B versterker
*
* SUPPLY VOLTAGES
VPOS 8 0 DC +15V
VNEG 9 0 DC -15V
*
* input source
VS1 1 0 DC 0 SIN(0V 5VPEAK 10KHZ)
*
* PUSH-PULL TRANSISTOR OUTPUT STAGE
Q1 8 1 2 QNPN
Q2 9 1 2 QPNP
*
* Load resistance
RL1 2 0 100
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
Verloop van Stroom en Spanning
Detail stroom en spanning rond nuldoorgang
Stroom door en spanning over
AC schema
Voorinstelspanning
voorinstelspanning met diodes
Voorinstelspanning met transistor
SPICE code:voorinstelspanning met diodes
Klasse B versterker
*
* SUPPLY VOLTAGES
VPOS 8 0 DC +15V
VNEG 9 0 DC -15V
*
VS2 10 0 DC 0 SIN(0V 5VPEAK 10KHZ)
*
D1 13 10 DNOM
RB1 13 8 10K
Q11 8 13 12 QNPN
*
D2 10 14 DNOM
RB2 14 9 10K
Q12 9 14 12 QPNP
*
RL2 12 0 100
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
.model DNOM D()
stromen en spanning (met voorinstelspanning)
Stroom door en spanning over (met voorinstelspanning)
SPICE code
.title Klasse B versterker PUSH-PULL PLACED IN OPAMP FEEDBACK LOOP
*
* SUPPLY VOLTAGES
VPOS 8 0 DC +15V
VNEG 9 0 DC -15V
*
VS3 20 0 DC 0 SIN(0V 5VPEAK 10KHZ)
*
Q21 8 23 22 QNPN
Q22 9 23 22 QPNP
RL3 22 0 100
*
XOpAmp 20 22 8 9 23 8 opamp
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
.model DNOM D()
Terugkoppeling: stromen en spanningen
Nuldoorgang van de stromen en de spanningen
Stroom door de transistor als functie van de spanning over
SPICE code
.title Klasse B versterker PUSH-PULL PLACED IN OPAMP FEEDBACK LOOP
*
* SUPPLY VOLTAGES
VPOS 8 0 DC +2.5V
VNEG 9 0 DC -2.5V
*
VS3 20 0 DC 0 SIN(0V 1VPEAK 10KHZ)
*
Q21 8 23 22 QNPN
Q22 9 23 22 QPNP
RL3 22 0 100
*
XOpAmp 20 22 8 9 23 8 opamp
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
.model DNOM D()
Ideale OpAmp
Realistische OpAmp: LMV981-N
Driver Stage
Stroombron als belasting driver trap
Darlington Paar
SPICE code
Darlington
*
* PUSH-PULL TRANSISTOR OUTPUT STAGE
Q1 3 1 2 QNPN
Q2 3 2 0 QNPN
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
transfer characteristiek Darlington paar
Darlington Paar met emitter degeneratie
SPICE code
Darlington met emitter degeneratie
*
* PUSH-PULL TRANSISTOR OUTPUT STAGE
Q1 3 1 2 QNPN
Q2 3 2 0 QNPN
RED 2 0 100
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
transfer characteristiek Darlington paar
Darlington Paar als drive transistors
Darlington Paar als drive transistors
Het complementaire Darlington Transistor paar¶
SPICE code
Complementaire Darlington met emitter degeneratie
*
* PUSH-PULL TRANSISTOR OUTPUT STAGE
Q1 2 1 0 QNPN
Q2 0 2 3 QPNP
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
transfer characteristiek complementair Darlington paar
SPICE code
Complementaire Darlington met emitter degeneratie
*
* PUSH-PULL TRANSISTOR OUTPUT STAGE
Q1 2 1 4 QNPN
Q2 0 2 3 QPNP
RED 4 0 100
R2 2 3 100
*
* DEVICE MODELS
.model QNPN NPN(BF=50)
.model QPNP PNP(BF=50)
transfer characteristiek complementair Darlington paar met emitter degeneratie
Beveiliging van bipolaire transistors
Stroombeveiliging van een bipolaire transistors
Stroombegrenzing
Stroombegrenzing
Stroom meting in de load
Beveiliging tegen overspanning¶
Het basisconcept van een beveiliging tegen overspanning is dat de spanning over de transistor gemeten wordt aan de hand van een weerstand.
Beveiliging van een bipolaire transistors
overspanningsbegrenzing
Beveiliging tegen te hoog vermogen.¶
De beveiliging tegen te hoog vermogen voeren we in door een lineaire combinatie van de beveiliging tegen te hoge stroom en de beveiliging tegen te hoge spanning. De spanning aan de basis van $T_B$ ($V_b(T_B)$)is de som van de spanning over $R_I$ ($V_{over}(R_I)$) en de spanning over $R_{v1}$. Deze laatste herschrijven we dan weer als een spanningsdeling van de spanning over de vermogentransistors.
$$ V_b(T_B) = R_I I_{door} + \frac{R_{v1}}{R_{v1} + R_{v2}} V_{over} $$
Als we stellen dat de beveiligingstransistor ingrijpt wanneer de basis-emitterspanning 0.7V wordt, is de vergelijking xx de vergelijking van een rechte in de outputkarakteristiek van de vermogentransistor.
In de outputkarakteristiek plotten we $I_{door}$ als functie van $V_{over}$, zoals getoond in {numref}B_Beveil1. Door de parameters $R_{v1}$, $R_{v2}$ en $R_{I}$ juist te kiezen bepalen we de gewenste beveiliging.
Beveiliging van een bipolaire transistors
In {numref}B_Beveil9 passen we dit concept toe vertrekkende van het schema van {numref}bfig3
begrenzing spanning, stroom en vermogen
hoogdoorlaatfilter aan de ingang
Laagdoorlaatfilter aan ingang
Banddoorlaatfilter aan ingang
Details banddoorlaatfilter
than answers that can't be questioned.